その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3μm帯メタモルフィックレーザの高速変調動作

• 資料種別: 記事
• タイトル: その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3μm帯メタモルフィックレーザの高速変調動作
• 著者・編者: 中尾 亮; 荒井 昌和; 小林 亘 他
• シリーズタイトル: レーザ・量子エレクトロニクス
• 著者標目: 中尾 亮; 荒井 昌和; 小林 亘
• 並列タイトル等: High-speed operation of 1.3 μm GaAs/InGaAs metamorphic lasers fabricated by using highly-accurate control of crystal lattice relaxation based on in-situ wafer curvature measurement
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 114(378):2014.12.18・19
• 掲載巻: 114
• 掲載号: 378
• 掲載ページ: 59-64
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2014-12
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: メタモルフィック結晶成長; その場測定; 直接変調; 高温度特性; Metamorphic Growth; In-situ Measurement; Direct Modulation; High Temperature Characteristics
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: LQE2014-137
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 026034878; http://id.ndl.go.jp/bib/026034878
• 整理区分コード: 632