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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号114(416)-114(421):2015.1.26-2015.1.27
記事Dramatic E...

Dramatic Effects of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage as well as Electron Mobility in n-channel Ge MOSFETs (シリコン材料・デバイス ; 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

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Dramatic Effects of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage as well as Electron Mobility in n-channel Ge MOSFETs

(シリコン材料・デバイス ; 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
026148578
資料種別
記事
著者
李 忠賢ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2015-01-27
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(421):2015.1.27
掲載ページ
p.5-8
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紙

資料種別
記事
タイトル
Dramatic Effects of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage as well as Electron Mobility in n-channel Ge MOSFETs
著者・編者
李 忠賢
西村 知紀
魯 辞莽 他
シリーズタイトル
シリコン材料・デバイス ; 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
著者標目
李 忠賢
西村 知紀
魯 辞莽
並列タイトル等
招待講演 Ge基板中の酸素がn-MOSFETsの接合リーク電流及び電子移動度に与える効果 ショウタイ コウエン Ge キバン チュウ ノ サンソ ガ n-MOSFETs ノ セツゴウ リーク デンリュウ オヨビ デンシ イドウド ニ アタエル コウカ
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
114(421):2015.1.27
掲載巻
114
掲載号
421