招待講演 ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果

• 資料種別: 記事
• タイトル: 招待講演 ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果
• 著者・編者: 金 閔洙; 若林 勇希; 中根 了昌 他
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス ; 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
• 著者標目: 金 閔洙; 若林 勇希; 中根 了昌
• 並列タイトル等: Invited : High I[on]/I[off] Ge-source Ultrathin Body Strained-SOI Tunnel FETs : Impact of Channel Strain, MOS Interfaces and Back Gate on the Electrical Properties
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 114(421):2015.1.27
• 掲載巻: 114
• 掲載号: 421
• 掲載ページ: 9-12
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2015-01-27
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: トンネルFET; ひずみシリコン; ゲルマニウムソース; MOS界面; Tunnel FET; Strained Si; Ge-source; MOS interface
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2014-137
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 026148586; http://id.ndl.go.jp/bib/026148586
• 整理区分コード: 632