原子層堆積法を用いて製膜した極薄絶縁層を用いた有機電界効果トランジスタ(小特集真空プロセスで創る有機デバイス研究・開発の最前線)

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資料種別: 記事
タイトル: 原子層堆積法を用いて製膜した極薄絶縁層を用いた有機電界効果トランジスタ
著者・編者: 小野新平
シリーズタイトル: 小特集真空プロセスで創る有機デバイス研究・開発の最前線
著者標目: 小野新平
並列タイトル等: High Performance Organic Field-Effect Transistors with High-k Insulator Deposited Directly onto the Organic Semiconductor
タイトル（掲載誌）: Journal of the Vacuum Society of Japan = 真空
巻号年月日等（掲載誌）: 58(3):2015.3
掲載巻: 58
掲載号: 3
掲載ページ: 104-108
掲載年月日（W3CDTF）: 2015-03
ISSN（掲載誌）: 1882-2398
ISSN-L（掲載誌）: 1882-2398
出版事項（掲載誌）: 東京 : 日本真空協会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZN15
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-474
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 026236427
http://id.ndl.go.jp/bib/026236427
整理区分コード: 632