招待講演 GaN-HEMTを用いた2.45GHz帯高効率F級増幅器の設計と試作 (集積回路)

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招待講演 GaN-HEMTを用いた2.45GHz帯高効率F級増幅器の設計と試作

(集積回路)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
026324943
資料種別
記事
著者
西尾 岳ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2015-03
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(499):2015.3.5・6
掲載ページ
p.19-22
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
西尾 岳
石崎 俊雄
シリーズタイトル
並列タイトル等
A Design and Fabrication of 2.45GHz-Band High Efficiency Class-F Power Amplifier using GaN-HEMT
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
114(499):2015.3.5・6
掲載巻
114
掲載号
499