招待講演高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 : 直接遷移構造化を目指して (有機エレクトロニクス)

招待講演高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 : 直接遷移構造化を目指して

(有機エレクトロニクス)

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資料種別: 記事
タイトル: 招待講演高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 : 直接遷移構造化を目指して
著者・編者: 黒澤昌志
竹内和歌奈
坂下満男他
シリーズタイトル: 有機エレクトロニクス
著者標目: 黒澤昌志
竹内和歌奈
坂下満男
並列タイトル等: Invited Talk : Formation of high Sn content SiSn films and its band structure : Aiming for direct-band-gap semiconductor
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 115(19):2015.4.29・30
掲載巻: 115
掲載号: 19
掲載ページ: 35-37
掲載年月日（W3CDTF）: 2015-04
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: Ⅳ族半導体
シリコンスズ (SiSn)
固相成長法
group-Ⅳ semiconductor
silicon tin (SiSn)
solid phase crystallization
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: OME2015-9
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 026381885
http://id.ndl.go.jp/bib/026381885
整理区分コード: 632