コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作(電子デバイス)

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資料種別: 記事
タイトル: コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作
著者・編者: 伊藤義人
金子健太郎
藤田静雄
シリーズタイトル: 電子デバイス
著者標目: 伊藤義人
金子健太郎
藤田静雄
並列タイトル等: Growth and preliminary MOSFETs of corundum-structured oxide semiconductors
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 115(63):2015.5.28・29
掲載巻: 115
掲載号: 63
掲載ページ: 27-30
掲載年月日（W3CDTF）: 2015-05
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: 酸化ガリウム
酸化インジウム
α型
バッファ層
ミストCVD
ワイドバンドギャップ半導体
Gallium Oxide
Indium Oxide
α-Type Structure
Buffer Layer
Mist CVD
Wide Band Gap Semiconductors
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ED2015-21
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 026492259
http://id.ndl.go.jp/bib/026492259
整理区分コード: 632