コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作

• 資料種別: 記事
• タイトル: コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作
• 著者・編者: 伊藤 義人; 金子 健太郎; 藤田 静雄
• シリーズタイトル: 電子部品・材料
• 著者標目: 伊藤 義人; 金子 健太郎; 藤田 静雄
• 並列タイトル等: Growth and preliminary MOSFETs of corundum-structured oxide semiconductors
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 115(64):2015.5.28・29
• 掲載巻: 115
• 掲載号: 64
• 掲載ページ: 27-30
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2015-05
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 酸化ガリウム; 酸化インジウム; α型; バッファ層; ミストCVD; ワイドバンドギャップ半導体; Gallium Oxide; Indium Oxide; α-Type Structure; Buffer Layer; Mist CVD; Wide Band Gap Semiconductors
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: CPM2015-6
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 026492788; http://id.ndl.go.jp/bib/026492788
• 整理区分コード: 632