電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性 (電子デバイス)

電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性

(電子デバイス)

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資料種別: 記事
タイトル: 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性
著者・編者: 喜田弘文
熊崎祐介
谷田部然治他
シリーズタイトル: 電子デバイス
著者標目: 喜田弘文
熊崎祐介
谷田部然治
並列タイトル等: Electrochemical formation and UV photoresponse properties of GaN porous structures
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 115(170):2015.8.3・4
掲載巻: 115
掲載号: 170
掲載ページ: 51-54
掲載年月日（W3CDTF）: 2015-08
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: 多孔質構造
窒化ガリウム
光電流
バンド端吸収のレッドシフト
porous structure
gallium nitride
photocurrents
redshift of bandedge photoabsorption
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ED2015-53
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 026740493
http://id.ndl.go.jp/bib/026740493
整理区分コード: 632