雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号115(279)-115(285):2015.10.29-2015.10.31
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Electrical Properties of MOSFETs Introducing Atomically Flat Gate Insulator/Silicon Interface (シリコン材料・デバイス)

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Electrical Properties of MOSFETs Introducing Atomically Flat Gate Insulator/Silicon Interface

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
026909052
資料種別
記事
著者
後藤 哲也ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2015-10
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(280):2015.10.29・30
掲載ページ
p.17-22
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紙

資料種別
記事
タイトル
Electrical Properties of MOSFETs Introducing Atomically Flat Gate Insulator/Silicon Interface
著者・編者
後藤 哲也
黒田 理人
諏訪 智之 他
シリーズタイトル
シリコン材料・デバイス
著者標目
後藤 哲也
黒田 理人
諏訪 智之
並列タイトル等
原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を導入したMOSFETの電気的特性 ゲンシ オーダー ヘイタン ナ ゲート ゼツエンマク/シリコン カイメン オ ドウニュウ シタ MOSFET ノ デンキテキ トクセイ
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
115(280):2015.10.29・30
掲載巻
115
掲載号
280