ゲート電圧印加が光電変換効率に及ぼす効果

• 資料種別: 記事
• タイトル: ゲート電圧印加が光電変換効率に及ぼす効果
• 著者・編者: 大木 康平; 日下部 昂志; 松尾 直人 他
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 大木 康平; 日下部 昂志; 松尾 直人
• 並列タイトル等: Effect of gate voltage application on the conversion efficiency of solar-cell
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 115(363):2015.12.14
• 掲載巻: 115
• 掲載号: 363
• 掲載ページ: 19-22
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2015-12-14
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 太陽電池; キャリア再結合; MISダイオード; 電界効果; solar cell; carrier recombination; MIS diode; electric field effect
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2015-96
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 027036951; http://id.ndl.go.jp/bib/027036951
• 整理区分コード: 632