イオンビームアシストMBE法による立方晶BN(c-BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長

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資料種別: 記事
タイトル: イオンビームアシストMBE法による立方晶BN(c-BN)薄膜のヘテロエピタキシャル成長
著者・編者: 平間一行
谷保芳孝
山本秀樹
熊倉一英
著者標目: 平間一行
谷保芳孝
山本秀樹
熊倉一英
並列タイトル等: Heteroepitaxial growth of cubic boron nitride (c-BN) thin films by ion-beam-assisted MBE
タイトル（掲載誌）: 応用物理
巻号年月日等（掲載誌）: 85(4):2016.4
掲載巻: 85
掲載号: 4
掲載ページ: 306-310
掲載年月日（W3CDTF）: 2016-04
ISSN（掲載誌）: 0369-8009
ISSN-L（掲載誌）: 0369-8009
出版事項（掲載誌）: 東京 : 応用物理学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZM17
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z15-243
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 027265100
http://id.ndl.go.jp/bib/027265100
整理区分コード: 632