ウェハボンディングプロセスを用いたInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの熱抵抗低減技術に関する検討(特集 最新の化合物半導体デバイスとその応用技術)

• 資料種別: 記事
• タイトル: ウェハボンディングプロセスを用いたInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの熱抵抗低減技術に関する検討
• 著者・編者: 白鳥 悠太; 星 拓也; 柏尾 典秀; 栗島 賢二; 日暮 栄治; 松崎 秀昭
• シリーズタイトル: 特集 最新の化合物半導体デバイスとその応用技術
• 著者標目: 白鳥 悠太; 星 拓也; 柏尾 典秀; 栗島 賢二; 日暮 栄治; 松崎 秀昭
• 並列タイトル等: Investigation of Thermal Resistance Reduction of InP-based Double Heterojunction Bipolar Transistors Fabricated by Wafer Bonding
• タイトル（掲載誌）: 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems
• 巻号年月日等（掲載誌）: 136(4):2016.4
• 掲載巻: 136
• 掲載号: 4
• 掲載ページ: 455-460
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2016-04
• ISSN（掲載誌）: 0385-4221
• ISSN-L（掲載誌）: 0385-4221
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: インジウムリン; ヘテロ接合バイポーラトランジスタ; ウェハボンディング; 熱抵抗; Indium phosphide; heterojunction bipolar transistor; wafer bonding; thermal resistance
• NDLC: ZN31
• 対象利用者: 一般
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-795
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 027298403; http://id.ndl.go.jp/bib/027298403
• 整理区分コード: 632