雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号116(195):2016.8.25・26
記事AlInAs酸化狭窄...

AlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドFPレーザの作製 (レーザ・量子エレクトロニクス)

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AlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドFPレーザの作製

(レーザ・量子エレクトロニクス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
027598789
資料種別
記事
著者
鈴木 純一ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2016-08
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(195):2016.8.25・26
掲載ページ
p.9-14
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紙

資料種別
記事
タイトル
AlInAs酸化狭窄構造を有するGaInAsP/SOIハイブリッドFPレーザの作製
著者・編者
鈴木 純一
林 侑介
井上 慧史
雨宮 智宏
西山 伸彦
荒井 滋久
シリーズタイトル
レーザ・量子エレクトロニクス
著者標目
鈴木 純一
林 侑介
井上 慧史
雨宮 智宏
西山 伸彦
荒井 滋久
並列タイトル等
Fabrication of GaInAsP/SOI Hybrid Fabry-Perot Laser with AlInAs-oxide Confinement Structure
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
116(195):2016.8.25・26
掲載巻
116
掲載号
195