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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 田中 成明長谷川 一也安西 孝太村上 倫章岡 徹
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- Vertical GaN Schottky barrier diode on free-standing GaN substrate with 50 A forward current and 790 V breakdown voltage
- タイトル(掲載誌)
- 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
- 巻号年月日等(掲載誌)
- 2016(36-45):2016.3.28・29
- 掲載巻
- 2016
- 掲載号
- 36-45