ジナフトチエノチオフェン薄膜トランジスタにおけるコンタクトドーピング効果の実験的・数値的検討 (大特集 電子・情報・システム部門誌 30周年記念 電子・情報・システム技術によるイノベーション)

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ジナフトチエノチオフェン薄膜トランジスタにおけるコンタクトドーピング効果の実験的・数値的検討(大特集 電子・情報・システム部門誌 30周年記念 電子・情報・システム技術によるイノベーション)

国立国会図書館請求記号
Z16-795
国立国会図書館書誌ID
027833814
資料種別
記事
著者
山本 亮ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2017-01
資料形態
掲載誌名
電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems 137(1):2017.1
掲載ページ
p.20-25
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
山本 亮
野田 啓
和田 恭雄
鳥谷部 達
並列タイトル等
Experimental and Numerical Investigation of Contact Doping Effects in Dinaphthothienothiophene Thin-Film Transistors
タイトル(掲載誌)
電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems
巻号年月日等(掲載誌)
137(1):2017.1
掲載巻
137
掲載号
1