極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現

• 資料種別: 記事
• タイトル: 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現
• 著者・編者: 松田 祥伸; 船戸 充; 川上 養一
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 松田 祥伸; 船戸 充; 川上 養一
• 並列タイトル等: Realization of multi-wavelength emission using polar plane-free InGaN multifacet quantum wells
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 116(356):2016.12.12・13
• 掲載巻: 116
• 掲載号: 356
• 掲載ページ: 67-70
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2016-12
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 窒化物半導体; 有機金属気相成長法; 三次元構造; 多色発光; nitride semiconductor; metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE); three-dimensional structures; polychromatic emission
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2016-70
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 027841314; http://id.ndl.go.jp/bib/027841314
• 整理区分コード: 632