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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 遠藤 聡渡邊 一世笠松 章史高橋 剛芝 祥一中舍 安宏岩井 大介三村 高志
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- Effect of Drain-Side Recess Length on DC and RF Characteristics of Cryogenic InP HEMTs
- タイトル(掲載誌)
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
- 巻号年月日等(掲載誌)
- 116(375):2016.12.19・20
- 掲載巻
- 116
- 掲載号
- 375