表面電位画像化による半導体不純物分布評価および高空間分解能化(Imaging Today 最新ナノ計測/分析技術と機器への応用)

• 資料種別: 記事
• タイトル: 表面電位画像化による半導体不純物分布評価および高空間分解能化
• 著者・編者: 中川 活二; 上原 利夫
• シリーズタイトル: Imaging Today 最新ナノ計測/分析技術と機器への応用
• 著者標目: 中川 活二; 上原 利夫
• 並列タイトル等: Study for Impurity Doping Distribution in Semiconductor Applying Imaging of Surface Potential and Achieving Method for Higher Spatial Resolution
• タイトル（掲載誌）: 日本画像学会誌 = Journal of the Imaging Society of Japan
• 巻号年月日等（掲載誌）: 56(1)=225:2017
• 掲載巻: 56
• 掲載号: 1
• 掲載通号: 225
• 掲載ページ: 92-97
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2017
• ISSN（掲載誌）: 1344-4425
• ISSN-L（掲載誌）: 1344-4425
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 日本画像学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: Surface potential; Potential distribution; Analysis for high voltage; Analysis for impurity doping; Electrostatic force microscopy; 表面電位; 電位分布; 高電圧解析; 不純物濃度解析; 静電力顕微鏡
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-554
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 027979540; http://id.ndl.go.jp/bib/027979540
• 整理区分コード: 632