依頼講演 高周波GaN-HEMTの製品化の経緯

• 資料種別: 記事
• タイトル: 依頼講演 高周波GaN-HEMTの製品化の経緯
• 著者・編者: 舘野 泰範
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 舘野 泰範
• 並列タイトル等: Commercialization of GaN-HEMT for High Frequency Application
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 116(431):2017.1.26・27
• 掲載巻: 116
• 掲載号: 431
• 掲載ページ: 7-12
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2017-01
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaN-HEMT; 高周波高出力デバイス; 製品化; 市場投入; high frequency and high output power device; product development; product launch to the market
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2016-97
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 027982417; http://id.ndl.go.jp/bib/027982417
• 整理区分コード: 632