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雑誌
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号
116(439):2017.1.30・31
記事
招待講演 強誘電体H...
招待講演 強誘電体HfO₂を用いた負性容量トランジスタの動作速度に関する実験検討 (機構デバイス)
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招待講演 強誘電体HfO₂を用いた負性容量トランジスタの動作速度に関する実験検討
(機構デバイス)
国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
027982920
資料種別
記事
著者
小林 正治ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2017-01
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(439):2017.1.30・31
掲載ページ
p.51-54
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書誌情報
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書誌情報を出力
紙
資料種別
記事
タイトル
招待講演 強誘電体HfO₂を用いた負性容量トランジスタの動作速度に関する実験検討
著者・編者
小林 正治
上山 望
蔣 京珉
平本 俊郎
シリーズタイトル
機構デバイス
著者標目
小林 正治
上山 望
蔣 京珉
平本 俊郎
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
116(439):2017.1.30・31
掲載巻
116
掲載号
439
掲載ページ
51-54
掲載年月日(W3CDTF)
2017-01
ISSN(掲載誌)
0913-5685
ISSN-L(掲載誌)
0913-5685
出版事項(掲載誌)
東京 : 電子情報通信学会
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
件名標目
Negative capacitance
steep slope transistor
ferroelectric
HfO₂
NDLC
ZN33
対象利用者
一般
レポート番号(雑誌記事)
EMD2016-79
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z16-940
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID(NDLBibID)
027982920
http://id.ndl.go.jp/bib/027982920
整理区分コード
632
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