GaN基板のプラズマ融合CMP技術 : エタノールバブリング・Arプラズマを用いたプラズマ融合CMP特性とその評価 (シリコン材料・デバイス)

記事を表すアイコン

GaN基板のプラズマ融合CMP技術 : エタノールバブリング・Arプラズマを用いたプラズマ融合CMP特性とその評価

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
028167189
資料種別
記事
著者
山崎 直樹ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2017-04
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(7):2017.4.20・21
掲載ページ
p.19-23
すべて見る

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
山崎 直樹
土肥 俊郎
曾田 英雄
金 聖祐
大山 幸希
黒河 周平
佐野 泰久
白谷 正治
山西 陽子
シリーズタイトル
並列タイトル等
Plasma fusion CMP technology for GaN substrates : Evaluation of processing characteristics for plasma fusion CMP using Ar plasma and ethanol bubbling
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
117(7):2017.4.20・21
掲載巻
117
掲載号
7