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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号117(1)-117(9):2017.4.14-2017.4.21
記事依頼講演 HfO強誘...

依頼講演 HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証 (集積回路)

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依頼講演 HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証

(集積回路)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
028167232
資料種別
記事
著者
山口 まりなほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2017-04
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(9):2017.4.20・21
掲載ページ
p.85-88
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紙

資料種別
記事
タイトル
依頼講演 HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証
著者・編者
山口 まりな
藤井 章輔
上牟田 雄一
井野 恒洋
高石 理一郎
中崎 靖
齋藤 真澄
シリーズタイトル
集積回路
著者標目
山口 まりな
藤井 章輔
上牟田 雄一
井野 恒洋
高石 理一郎
中崎 靖
齋藤 真澄
並列タイトル等
Demonstration of HfO₂-Based Ferroelectric Tunnel Junction (FTJ)
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
117(9):2017.4.20・21
掲載巻
117
掲載号
9