SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発 (シリコン材料・デバイス)

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SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
028440957
資料種別
記事
著者
藪内 誠ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2017
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(166):2017.7.31-8.2
掲載ページ
p.13-16
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
藪内 誠
新居 浩二
田中 信二
篠崎 義弘
山本 芳樹
長谷川 拓実
新川田 裕樹
蒲原 史朗
シリーズタイトル
並列タイトル等
A 65 nm 1.0 V 1.84 ns Silicon-on-Thin-Box (SOTB) Embedded SRAM with 13.72 nW/Mbit Standby Power for Smart IoT
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
117(166):2017.7.31-8.2
掲載巻
117
掲載号
166