書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 奈良 友奎成田 舜基中澤 日出樹
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- Epitaxial growth of SiC on AlN/Si(110) substrates using SiC buffer layer by pulsed laser deposition
- タイトル（掲載誌）
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 117(191):2017.8.31・9.1
- 掲載巻
- 117
- 掲載号
- 191