招待講演 Biを媒介したIn(Ga)As並びにGeナノドットの自己形成

• 資料種別: 記事
• タイトル: 招待講演 Biを媒介したIn(Ga)As並びにGeナノドットの自己形成
• 著者・編者: 岡本 浩; 俵 毅彦; 舘野 功太; 章 国強; 後藤 秀樹
• シリーズタイトル: 電子部品・材料
• 著者標目: 岡本 浩; 俵 毅彦; 舘野 功太; 章 国強; 後藤 秀樹
• 並列タイトル等: Self-organized formation of In(Ga)As and Ge nanodots mediated by bismuth
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 117(193):2017.8.31・9.1
• 掲載巻: 117
• 掲載号: 193
• 掲載ページ: 1-6
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2017
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: ナノドット; 量子ドット; サーファクタント; InAs; InGaAs; Ge; nanodots; quantum dots; surfactant
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: CPM2017-39
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028511985; http://id.ndl.go.jp/bib/028511985
• 整理区分コード: 632