画素内埋め込み保持部と横型オーバーフロー蓄積容量を用いた224ke-飽和電荷数を有する3.875μm□グローバルシャッタCMOSイメージセンサ(情報センシング)

• 資料種別: 記事
• タイトル: 画素内埋め込み保持部と横型オーバーフロー蓄積容量を用いた224ke-飽和電荷数を有する3.875μm□グローバルシャッタCMOSイメージセンサ
• 著者・編者: 酒井 伸; 坂野 頼人; 田代 睦聡; 加藤 祐理; 秋山 健太郎; 本田 勝巳; 佐藤 守; 榊原 雅樹; 田浦 忠行; 浅見 健司; 平野 智之; 大池 祐輔; 十河 康則; 江崎 孝之; 奈良部 忠邦; 平山 照峰; 須川 成利
• シリーズタイトル: 情報センシング
• 著者標目: 酒井 伸; 坂野 頼人; 田代 睦聡; 加藤 祐理; 秋山 健太郎; 本田 勝巳; 佐藤 守; 榊原 雅樹; 田浦 忠行; 浅見 健司; 平野 智之; 大池 祐輔; 十河 康則; 江崎 孝之; 奈良部 忠邦; 平山 照峰; 須川 成利
• 並列タイトル等: 224-ke Saturation Signal Global Shutter CMOS Image Sensor with In-pixel Pinned Storage and Lateral Overflow Integration Capacitor
• タイトル（掲載誌）: 映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report
• 巻号年月日等（掲載誌）: 41(32):2017.9
• 掲載巻: 41
• 掲載号: 32
• 掲載ページ: 43-46
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2017-09
• ISSN（掲載誌）: 1342-6893
• ISSN-L（掲載誌）: 1342-6893
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 映像情報メディア学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: CMOSイメージセンサ; グローバルシャッタ; 横型オーバーフロー蓄積容量 (LOFIC); CMOS Image sensor; Global shutter; Lateral-overflow integration capacitor (LOFIC)
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: IST2017-59
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-1010
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028552890; http://id.ndl.go.jp/bib/028552890
• 整理区分コード: 632