酸性アモノサーマル法...

酸性アモノサーマル法によるGaN結晶成長技術の開発 (110周年記念号「新技術・新製品特集」)

記事を表すアイコン

酸性アモノサーマル法によるGaN結晶成長技術の開発

(110周年記念号「新技術・新製品特集」)

国立国会図書館請求記号
Z17-317
国立国会図書館書誌ID
028658605
資料種別
記事
著者
包 全喜ほか
出版者
東京 : 日本製鋼所
出版年
2017
資料形態
掲載誌名
日本製鋼所技報 (68):2017
掲載ページ
p.27-34
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
包 全喜
栗本 浩平
茅野 林造
石黒 徹
並列タイトル等
Development of GaN Crystal Growth Technique by Acidic Ammonothermal Method
タイトル(掲載誌)
日本製鋼所技報
巻号年月日等(掲載誌)
(68):2017
掲載号
68
掲載ページ
27-34