高負電圧サージ耐量を実現する新しいHVIC構造

• 資料種別: 記事
• タイトル: 高負電圧サージ耐量を実現する新しいHVIC構造
• 著者・編者: 上西 顕寛; 菅野 博; 赤羽 正志; 山路 将晴; 田中 貴英; 栩内 規行; 澄田 仁志
• シリーズタイトル: 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• 著者標目: 上西 顕寛; 菅野 博; 赤羽 正志; 山路 将晴; 田中 貴英; 栩内 規行; 澄田 仁志
• 並列タイトル等: A New Concept of HVICs for High Negative Surge Immunity
• タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2015(146-168):2015.10.29
• 掲載巻: 2015
• 掲載号: 146-168
• 掲載ページ: 1-4
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2015-10-29
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: HVIC; 高耐圧IC; 1200V; ゲートドライバ; 負電圧サージ; 分離構造; high voltage IC; gate driver; negative voltage surge; isolation structure
• NDLC: ZN32
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SPC-15-146
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z43-243
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028697356; http://id.ndl.go.jp/bib/028697356
• 整理区分コード: 632