平行デュアルレーザビーム法によるシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術

• 資料種別: 記事
• タイトル: 平行デュアルレーザビーム法によるシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術
• 著者・編者: 金田 寛; 大村 一郎
• シリーズタイトル: 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• 著者標目: 金田 寛; 大村 一郎
• 並列タイトル等: Dual laser beam technique to evaluate bulk lifetime of free carriers in silicon wafers
• タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2016(150-164):2016.11.15
• 掲載巻: 2016
• 掲載号: 150-164
• 掲載ページ: 61-64
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2016-11-15
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: パワーデバイス; シリコンウェーハ; 評価; キャリアライフタイム; レーザー; 屈折; キャリア濃度分布; power device; silicon wafer; evaluation; carrier lifetime; laser; refraction; carrier density distribution
• NDLC: ZN32
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SPC-16-160
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z43-243
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028698826; http://id.ndl.go.jp/bib/028698826
• 整理区分コード: 632