高耐圧GaN-HEMTのアバランシェ耐量とそのメカニズム

• 資料種別: 記事
• タイトル: 高耐圧GaN-HEMTのアバランシェ耐量とそのメカニズム
• 著者・編者: 仲 敏行; 齋藤 渉
• シリーズタイトル: 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• 著者標目: 仲 敏行; 齋藤 渉
• 並列タイトル等: UIS Withstanding Capability and Mechanism of High Voltage GaN-HEMTs
• タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2016(133-140・142-149):2016.11.14
• 掲載巻: 2016
• 掲載号: 133-140・142-149
• 掲載ページ: 19-23
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2016-11-14
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaN-HEMT; p型GaNゲート構造; アバランシェ耐量; p-type GaN gate structure; unclamped inductive switching withstanding capability
• NDLC: ZN32
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SPC-16-136
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z43-243
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028700213; http://id.ndl.go.jp/bib/028700213
• 整理区分コード: 632