高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 : 抵抗率のドープ量及び温度依存性

• 資料種別: 記事
• タイトル: 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 : 抵抗率のドープ量及び温度依存性
• 著者・編者: 小澤 愼二; 竹下 明伸; 今村 辰哉; 高野 晃大; 奥田 和也; 日高 淳輝; 松浦 秀治; 紀 世陽; 江藤 数馬; 児島 一聡; 加藤 智久; 吉田 貞史; 奥村 元
• シリーズタイトル: 電子ディスプレイ
• 著者標目: 小澤 愼二; 竹下 明伸; 今村 辰哉; 高野 晃大; 奥田 和也; 日高 淳輝; 松浦 秀治; 紀 世陽; 江藤 数馬; 児島 一聡; 加藤 智久; 吉田 貞史; 奥村 元
• 並列タイトル等: Conduction mechanisms in heavily Al-doped 4H-SiC epilayers : Dependencies of resistivity on Al concentration and temperature
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 117(372):2017.12.22
• 掲載巻: 117
• 掲載号: 372
• 掲載ページ: 5-8
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2017-12-22
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: SiC IGBT; p型4H-SiC; 高濃度Alドープ4H-SiC; 抵抗率の温度依存性; 伝導機構; p-type 4H-SiC; Heavily Al-doped 4H-SiC; Temperature-dependent resistivity; Conduction mechanism
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: EID2017-12
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028759768; http://id.ndl.go.jp/bib/028759768
• 整理区分コード: 632