高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 : 抵抗率のドープ量及び温度依存性 (シリコン材料・デバイス)

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高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 : 抵抗率のドープ量及び温度依存性

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
028760060
資料種別
記事
著者
小澤 愼二ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2017-12-22
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(373):2017.12.22
掲載ページ
p.5-8
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
小澤 愼二
竹下 明伸
今村 辰哉
高野 晃大
奥田 和也
日高 淳輝
松浦 秀治
紀 世陽
江藤 数馬
児島 一聡
加藤 智久
吉田 貞史
奥村 元
シリーズタイトル
並列タイトル等
Conduction mechanisms in heavily Al-doped 4H-SiC epilayers : Dependencies of resistivity on Al concentration and temperature
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
117(373):2017.12.22
掲載巻
117
掲載号
373