招待講演 µシェブロン型レーザビーム走査によるSi/Ge膜の単結晶帯形成とその結晶評価

• 資料種別: 記事
• タイトル: 招待講演 µシェブロン型レーザビーム走査によるSi/Ge膜の単結晶帯形成とその結晶評価
• 著者・編者: 葉 文昌
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 葉 文昌
• 並列タイトル等: Formation and evaluation of single crystal stripe in Si/Ge thin film on glass by micro-chevron beam annealing method
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 118(1):2018.4.6・7
• 掲載巻: 118
• 掲載号: 1
• 掲載ページ: 11-14
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2018-04
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 薄膜トランジスタ; 単結晶帯; マイクロシェブロンレーザービーム; シリコン; ゲルマニウム; Thin-film transistor; Single crystal stripe; micro-chevron laser beam; μCLB; Si; Ge
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2018-3
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028975974; http://id.ndl.go.jp/bib/028975974
• 整理区分コード: 632