SiH₄+N₂マルチ...

SiH₄+N₂マルチホロー放電プラズマCVDによるSiN製膜時のクラスターの取り込み (放電 プラズマ・パルスパワー合同研究会・環境浄化技術・一般)

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SiH₄+N₂マルチホロー放電プラズマCVDによるSiN製膜時のクラスターの取り込み

(放電 プラズマ・パルスパワー合同研究会・環境浄化技術・一般)

国立国会図書館請求記号
Z43-229
国立国会図書館書誌ID
029335836
資料種別
記事
著者
永石 翔大ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2018-10-27
資料形態
掲載誌名
電気学会研究会資料. PPP = The papers of technical meeting, IEE Japan / プラズマ・パルスパワー研究会 [編] 2018(51-64):2018.10.27
掲載ページ
p.5-10
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
永石 翔大
佐々木 勇輔
田中 和真
原 尚志
鎌滝 晋礼
板垣 奈穂
古閑 一憲
白谷 正治
並列タイトル等
Incorporation of clusters during the processing of SiN by SiH₄+N₂ Multi-hollow Discharge Plasma CVD
タイトル(掲載誌)
電気学会研究会資料. PPP = The papers of technical meeting, IEE Japan / プラズマ・パルスパワー研究会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
2018(51-64):2018.10.27
掲載巻
2018
掲載号
51-64