c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係 (電子デバイス)

記事を表すアイコン

c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係

(電子デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
029385260
資料種別
記事
著者
山中 瑞樹ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2018-11
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(330):2018.11.29・30
掲載ページ
p.5-8
すべて見る

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
山中 瑞樹
三好 実人
江川 孝志
竹内 哲也
シリーズタイトル
並列タイトル等
Growth of epitaxial AlInN films on c-plane GaN and the relationship between their alloy compositions and microstructures
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
118(330):2018.11.29・30
掲載巻
118
掲載号
330