GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善

• 資料種別: 記事
• タイトル: GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善
• 著者・編者: 梶原 瑛祐; 新留 彩; 彦坂 年輝; 蔵口 雅彦; 吉岡 啓; 布上 真也
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 梶原 瑛祐; 新留 彩; 彦坂 年輝; 蔵口 雅彦; 吉岡 啓; 布上 真也
• 並列タイトル等: Improvement of channel mobility in GaN-MOS structure by surface treatment of recessed-GaN and dielectric SiO₂ annealing
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 118(330):2018.11.29・30
• 掲載巻: 118
• 掲載号: 330
• 掲載ページ: 13-16
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2018-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: MOS型GaNパワーデバイス; リセス; チャネル移動度; SiO₂; MOS-GaN power device; recess; channel mobility
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2018-35
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 029385308; http://id.ndl.go.jp/bib/029385308
• 整理区分コード: 632