ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果

• 資料種別: 記事
• タイトル: ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果
• 著者・編者: 古岡 啓太; 久保 俊晴; 三好 実人; 江川 孝志
• シリーズタイトル: 電子デバイス
• 著者標目: 古岡 啓太; 久保 俊晴; 三好 実人; 江川 孝志
• 並列タイトル等: Effects of annealing ambient on electrical properties of ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTs
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 118(330):2018.11.29・30
• 掲載巻: 118
• 掲載号: 330
• 掲載ページ: 45-48
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2018-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaN; MIS; HEMT; PDA; PMA
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2018-42
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 029385785; http://id.ndl.go.jp/bib/029385785
• 整理区分コード: 632