高分子圧電体膜(P(VDF-TrFE))をゲート絶縁膜に用いたZnO-FET

• 資料種別: 記事
• タイトル: 高分子圧電体膜(P(VDF-TrFE))をゲート絶縁膜に用いたZnO-FET
• 著者・編者: 岡山 琢哉; 松本 周作; 古川 昭雄
• シリーズタイトル: 電子部品・材料
• 著者標目: 岡山 琢哉; 松本 周作; 古川 昭雄
• 並列タイトル等: ZnO-FET with P(VDF-TrFE) Piezoelectronic Film for Gate Insulator
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 118(276):2018.11.1・2
• 掲載巻: 118
• 掲載号: 276
• 掲載ページ: 11-14
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2018-11
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 半導体; 強誘電体; 透明半導体; P(VDF-TrFE); ZnO; Semiconductor; Ferroelectric; Transparent semiconductor
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: CPM2018-43
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 029385875; http://id.ndl.go.jp/bib/029385875
• 整理区分コード: 632