SiCパワーデバイス...

SiCパワーデバイスを対象とした繰り返しUIS試験による特性評価 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

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SiCパワーデバイスを対象とした繰り返しUIS試験による特性評価

(電子デバイス 半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

国立国会図書館請求記号
Z43-243
国立国会図書館書誌ID
029390774
資料種別
記事
著者
相良 光彦ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2018-11-01
資料形態
掲載誌名
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編] 2018(143-146・148-154):2018.11.1
掲載ページ
p.19-24
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
相良 光彦
和田 圭二
西澤 伸一
並列タイトル等
Experimental evaluation using repetitive UIS test for SiC power devices
タイトル(掲載誌)
電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan / 半導体電力変換研究会 [編]
巻号年月日等(掲載誌)
2018(143-146・148-154):2018.11.1
掲載巻
2018
掲載号
143-146・148-154