超ワイドバンドギャップ半導体AlNにおける励起子再結合過程の同定

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超ワイドバンドギャップ半導体AlNにおける励起子再結合過程の同定

国立国会図書館請求記号
Z74-D528
国立国会図書館書誌ID
029416833
資料種別
記事
著者
船戸 充ほか
出版者
京都 : 京都大学環境安全保健機構物性科学センター
出版年
2018-12
資料形態
掲載誌名
京都大学物性科学センター誌 : LTMセンター誌 (33):2018.12
掲載ページ
p.10-17
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
船戸 充
市川 修平
川上 養一
並列タイトル等
Clarifying exciton recombination paths in ultrawide-bandgap semiconductor AlN
タイトル(掲載誌)
京都大学物性科学センター誌 : LTMセンター誌
巻号年月日等(掲載誌)
(33):2018.12
掲載号
33
掲載ページ
10-17
掲載年月日(W3CDTF)
2018-12