雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号118(437)-118(449):2019.2.1-2019.2.20 (Web掲載118(439),118(441-444),118(450-451))
記事招待講演 MOSFE...

招待講演 MOSFETエージングモデルを用いた回路特性劣化SPICEシミュレーション (信頼性)

記事を表すアイコン

招待講演 MOSFETエージングモデルを用いた回路特性劣化SPICEシミュレーション

(信頼性)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
029576182
資料種別
記事
著者
田中 浩治ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2019-02-15
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(446):2019.2.15
掲載ページ
p.25-30
すべて見る

書誌情報

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

紙

資料種別
記事
タイトル
招待講演 MOSFETエージングモデルを用いた回路特性劣化SPICEシミュレーション
著者・編者
田中 浩治
雨宮 真一郎
岡村 均
嶌末 政憲
シリーズタイトル
信頼性
著者標目
田中 浩治
雨宮 真一郎
岡村 均
嶌末 政憲
並列タイトル等
SPICE based circuit performance degradation simulation with MOSFET aging models
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
118(446):2019.2.15
掲載巻
118
掲載号
446