シリコン基板へのH/Heイオン照射による損失低減と比誘電率の変化 (エレクトロニクスシミュレーション)

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シリコン基板へのH/Heイオン照射による損失低減と比誘電率の変化

(エレクトロニクスシミュレーション)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
029722237
資料種別
記事
著者
平野 拓一ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2019-05-17
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(42):2019.5.17
掲載ページ
p.19-23
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
平野 拓一
水野 麻弥
李 寧
井上 剛
曽我部 正嗣
岡田 健一
並列タイトル等
Dielectric Constant Change of Silicon Substrate after H/He Ion Irradiation for Loss Reduction
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
119(42):2019.5.17
掲載巻
119
掲載号
42