貼り合わせSi-on-Quartz基板上にエピタキシャル成長したGe層における格子ひずみと光学物性の評価

• 資料種別: 記事
• タイトル: 貼り合わせSi-on-Quartz基板上にエピタキシャル成長したGe層における格子ひずみと光学物性の評価
• 著者・編者: 野口 恭甫; 西村 道治; 松井 純爾; 津坂 佳幸; 石川 靖彦
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 野口 恭甫; 西村 道治; 松井 純爾; 津坂 佳幸; 石川 靖彦
• 並列タイトル等: Characterizations of lattice strain and optical properties for Ge layers epitaxially grown on bonded Si-on-quartz substrate
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 119(36):2019.5.16・17
• 掲載巻: 119
• 掲載号: 36
• 掲載ページ: 21-24
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2019-05
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: シリコンフォトニクス; ゲルマニウム; 光吸収; 格子ひずみ; Lバンド; SOQウエハ; Si photonics; Ge; optical absorption; lattice strain; L band; Si-on-Quartz wafer
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2019-12
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 029722288; http://id.ndl.go.jp/bib/029722288
• 整理区分コード: 632