GaN HEMTを用いた携帯電話基地局向け広帯域・高出力・高効率アンプ

• 資料種別: 記事
• タイトル: GaN HEMTを用いた携帯電話基地局向け広帯域・高出力・高効率アンプ
• 著者・編者: 秋山 章; James Wong; Andrei Grebennikov; 渡辺 直樹; 出口 博昭; 蛯原 要
• 著者標目: 秋山 章; James Wong; Andrei Grebennikov; 渡辺 直樹; 出口 博昭; 蛯原 要
• 並列タイトル等: Wideband High-Power High-Efficiency Amplifiers with GaN HEMTs for Base Station Applications
• タイトル（掲載誌）: 住友電工テクニカルレビュー = Technical review : 住友電工グループ技術論文誌
• 巻号年月日等（掲載誌）: (195):2019.7
• 掲載号: 195
• 掲載ページ: 23-28
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2019-07
• ISSN（掲載誌）: 1343-4330
• ISSN-L（掲載誌）: 1343-4330
• 出版事項（掲載誌）: 大阪 : 住友電気工業
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaN HEMT; 広帯域; 高出力; 高効率; 非対称ドハティアンプ
• NDLC: ZN31
• 対象利用者: 一般
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-298
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 029926613; http://id.ndl.go.jp/bib/029926613
• 整理区分コード: 632