「Model3」を分解・解析 テスラ新EVにSiCと新制御 GaNは電動航空機を狙え (Breakthrough 特集 強いSiに勝てるか : SiC/GaN/GaOの今)

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「Model3」を分解・解析 テスラ新EVにSiCと新制御 GaNは電動航空機を狙え(Breakthrough 特集 強いSiに勝てるか : SiC/GaN/GaOの今)

国立国会図書館請求記号
Z16-751
国立国会図書館書誌ID
029993276
資料種別
記事
著者
山本 真義
出版者
東京 : 日経BP
出版年
2019-10
資料形態
掲載誌名
日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (1208):2019.10
掲載ページ
p.43-53
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
山本 真義
著者標目
タイトル(掲載誌)
日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation
巻号年月日等(掲載誌)
(1208):2019.10
掲載号
1208
掲載ページ
43-53
掲載年月日(W3CDTF)
2019-10