3.3 kV SiC-MOSFETの電気的特性評価と誘導性パルスパワー電源への応用(特集高繰り返しパルスパワー電源の最新技術と応用)

掲載誌名: 電気学会論文誌. A, 基礎・材料・共通部門誌 = IEEJ transactions on fundamentals and materials 139(10):2019.10

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資料種別: 記事
タイトル: 3.3 kV SiC-MOSFETの電気的特性評価と誘導性パルスパワー電源への応用
著者・編者: 高橋克幸
長谷川裕樹
小野寺太一郎
高木浩一
坂本邦博
シリーズタイトル: 特集高繰り返しパルスパワー電源の最新技術と応用
著者標目: 高橋克幸
長谷川裕樹
小野寺太一郎
高木浩一
坂本邦博
並列タイトル等: Electrical Characteristics of 3.3 kV SiC-MOSFET and Development of Inductive Energy Storage Pulsed Power Generator
タイトル（掲載誌）: 電気学会論文誌. A, 基礎・材料・共通部門誌 = IEEJ transactions on fundamentals and materials
巻号年月日等（掲載誌）: 139(10):2019.10
掲載巻: 139
掲載号: 10
掲載ページ: 413-420
掲載年月日（W3CDTF）: 2019-10
ISSN（掲載誌）: 0385-4205
ISSN-L（掲載誌）: 0385-4205
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: 半導体スイッチ
SiC-MOSFET
パルスパワー
semiconductor switch
pulsed power
NDLC: ZN31
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-793
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 030010529
http://id.ndl.go.jp/bib/030010529
整理区分コード: 632