アモルファスSiO₂基板上へのc面配向ハイドロキシアパタイト成膜法の検討(特集 電気関係学会関西連合大会)

• 資料種別: 記事
• タイトル: アモルファスSiO₂基板上へのc面配向ハイドロキシアパタイト成膜法の検討
• 著者・編者: 岡田 悠希; 渡部 由香; 佐藤 匠海; 楠 正暢
• シリーズタイトル: 特集 電気関係学会関西連合大会
• 著者標目: 岡田 悠希; 渡部 由香; 佐藤 匠海; 楠 正暢
• 並列タイトル等: Fabrication of C-plane Oriented Hydroxyapatite Film on Amorphous SiO₂ Substrate
• タイトル（掲載誌）: 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems
• 巻号年月日等（掲載誌）: 139(11):2019.11
• 掲載巻: 139
• 掲載号: 11
• 掲載ページ: 1260-1265
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2019-11
• ISSN（掲載誌）: 0385-4221
• ISSN-L（掲載誌）: 0385-4221
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 配向制御; ハイドロキシアパタイト; フッ化アパタイト; アモルファスSiO₂; パルスレーザーデポジション法; バイオチップ; crystal orientation control; Hydroxyapatite; Fluoroapatite; amorphous SiO₂; Pulsed Laser Deposition (PLD); biochip
• NDLC: ZN31
• 対象利用者: 一般
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-795
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 030087215; http://id.ndl.go.jp/bib/030087215
• 整理区分コード: 632