トレンチフィールドプレートを有する1200V SiCデバイス向け極短エッジ構造の開発

• 資料種別: 記事
• タイトル: トレンチフィールドプレートを有する1200V SiCデバイス向け極短エッジ構造の開発
• 著者・編者: 三塚 要; 小野澤 勇一; 脇本 節子; 藤島 直人; Yong Liu; Wentao Yang; Hao Feng; Johnny K.O. Sin
• シリーズタイトル: 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
• 著者標目: 三塚 要; 小野澤 勇一; 脇本 節子; 藤島 直人; Yong Liu; Wentao Yang; Hao Feng; Johnny K.O. Sin
• 並列タイトル等: Trench Field Plate Engineering for High Efficient Edge Termination of 1200V-class SiC Devices
• タイトル（掲載誌）: 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan / 電子デバイス研究会 [編]
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2019(75-86):2019.11.29
• 掲載巻: 2019
• 掲載号: 75-86
• 掲載ページ: 23-27
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2019-11-29
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: エッジ終端; 耐圧; パワーデバイス; トレンチフィールドプレート; 深いトレンチ; 短エッジ; Edge termination; Break down voltage; Power device; Trench field plate; Deep trench; Short edge
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: EDD-19-79
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z43-225
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 030118520; http://id.ndl.go.jp/bib/030118520
• 整理区分コード: 632