招待講演 5G基地局向けGaN HEMT開発の現状と展望

• 資料種別: 記事
• タイトル: 招待講演 5G基地局向けGaN HEMT開発の現状と展望
• 著者・編者: 井上 和孝
• シリーズタイトル: マイクロ波
• 著者標目: 井上 和孝
• 並列タイトル等: Current Status and Perspectives of GaN HEMT Power Amplifiers for 5G Base Stations
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 119(409):2020.1.31
• 掲載巻: 119
• 掲載号: 409
• 掲載ページ: 17-20
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2020-01-31
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 窒化ガリウム; 高移動度トランジスタ; マイクロ波; 基地局; 高効率; 高出力; GaN; HEMT; microwave; base station; high efficiency; high power
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2019-96
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 030250278; http://id.ndl.go.jp/bib/030250278
• 整理区分コード: 632